CXMT ответила на критику Micron и пообещала образцы DRAM 4F² до конца года
Изображение: OpenAI
Китайская компания CXMT ответила на критику Micron, которая поставила под сомнение пользу компоновки ячеек 4F² для повышения плотности памяти DRAM. Как сообщает Pandaily, CXMT планирует передать заказчикам первые образцы такой памяти до конца 2026 года.
Micron выбрала другой путь: сохранить компоновку 6F² и развивать 3D DRAM. Её технический директор заявил 21 октября, что компания изучала 4F² более 20 лет, но не нашла способа дальше повышать плотность памяти на её основе. По его оценке, предел плотности задают размер конденсаторов и расстояние между ними, а не компоновка транзистора.
CXMT не оспаривает эти физические ограничения, но называет повышение плотности комплексной задачей. По её объяснению, архитектуры различаются сложностью производства и затратами, а выбор зависит в том числе от уже работающих фабрик и накопленных технологий. По сообщению CXMT, её платформа шестого поколения на базе 4F² уже прошла проверку на инженерных образцах.
Как отмечается в анализе, опубликованном QQ News 1 ноября, компоновка 4F² позволяет повысить плотность памяти за счёт изменения расположения ячеек, а не уменьшения ширины линий. При этом необходимые размеры элементов можно получить с помощью литографии в глубоком ультрафиолете (DUV). По тому же анализу, Samsung и SK hynix также продолжают разрабатывать память с компоновкой 4F²: Samsung планирует применять её в техпроцессах 10a, 10b и 10c и лишь на 10d перейти к 3D DRAM.
CXMT ранее заявляла, что примерно к концу 2026 года представит серверный модуль DDR5 RDIMM на базе 4F². Авторы анализа предупреждают: из-за строгих требований к надёжности серверной памяти первое поколение таких модулей в основном послужит для проверки технологии. Массовое производство CXMT планирует начать после проверки образцов заказчиками и с учётом рыночного спроса.
