НИИЭТ выводит на рынок две модели GaN-транзисторов
Воронежский Научно‑исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ, входит в Группу компаний «Элемент», MOEX: ELMT) анонсировал выпуск новых мощных СВЧ‑транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры. Разработка ориентирована на работу в условиях жестких температурных и эксплуатационных режимов.
Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П по совокупности технических параметров не имеют аналогов на российском рынке. Обе модели рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт, однако различаются по ряду ключевых характеристик.
Так, при проектировании транзистора ТНГ 131005‑28 основная задача была обеспечить работу транзистора в Ku-диапазоне частот. С этой задачей разработчики успешно справились, реализовав первый отечественный дискретный транзистор, обеспечивающий непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13,5 ГГц. При этом транзистор показывает одни из лучших значений усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50% для дискретных транзисторов в корпусе.
При проектировании транзистора ТНГ 60005‑28П основная задача была уменьшить габаритные размеры и обеспечить возможность групповой сборки печатных плат на линиях поверхностного монтажа при сохранении эксплуатационных характеристик на рабочих частотах до 6 – 8 ГГц. Разработав конструкцию транзистора и реализовав его сборку в металлополимерный корпус DFN3x3-6L размером 3×3 мм, задача была успешно решена.
Транзистор ТНГ 60005‑28П является самым миниатюрным отечественным дискретным транзистором, обеспечивающим выходную мощность более 10 Вт на частотах до 6 – 8 ГГц. При этом транзистор за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса обеспечивает лучшие частотные свойства и большее усиление (Кур ≥ 17,4 дБ) по сравнению с аналогами в металлокерамическом корпусе. При этом КПД ≥ 56% соответствует значениям, обеспечиваемым транзисторами в металлокерамике.
Существенным преимуществом обеих разработок выступает значительный запас по напряжению – до 130 В. Указанные особенности делают транзисторы востребованными в ключевых узлах передатчиков, радиолокационных станций, систем связи и радиоэлектронной борьбы, где экстремально лучшие характеристики являются обязательным требованием.
Различия в конструктивных решениях двух моделей отражают разные технологические подходы, применяемые в НИИЭТ. ТНГ 131005‑28 выполнен в традиционном металлокерамическом корпусе, который зарекомендовал себя как надежное решение для ответственных применений, так как он эффективно отводит тепло и устойчив к внешним воздействиям. В свою очередь, ТНГ 60005‑28П герметизирован в металлополимерном корпусе. Такой вариант позволяет упростить и удешевить серийное производство, сохранив необходимый уровень эксплуатационных свойств. Проведенные исследования подтвердили, что по основным характеристикам металлополимерное исполнение не уступает аналогам в металлокерамике. Это, в свою очередь, открывает дополнительные возможности для масштабирования производства и расширения применения пластиковых решений в сегменте СВЧ GaN‑транзисторов с выходной мощностью более 5 Вт.
Развитие GaN‑направления в Группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия официально признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей.
