Samsung и SK Hynix планируют модернизировать заводы памяти в Китае

Samsung и SK Hynix планируют модернизировать китайские заводы NAND-памяти из-за роста спроса со стороны ИИ-дата-центров и конкуренции с китайскими производителями. Об этом сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на Reuters, которое получило сведения от четырёх неназванных собеседников, знакомых с планами компаний.

Samsung намерена наладить выпуск 286-слойных чипов V9 NAND на заводе в Сиане к концу 2026 года. Предприятие выпускает около 40% всей NAND-памяти компании. Сейчас оно производит чипы примерно с 200 слоями.

SK Hynix планирует наладить на заводе в Даляне производство чипов с 240 и более слоями вместо нынешних 192. Когда компания намерена завершить модернизацию, неизвестно.

Обновление заводов осложняют американские ограничения на экспорт оборудования для производства микросхем, введённые в 2022 году. Обеим южнокорейским компаниям теперь нужны лицензии для установки оборудования американского производства на предприятиях в Китае. Samsung и SK Hynix заявляют, что консультируются по этому вопросу с властями США.