СМИ: Nvidia попросила поставщиков памяти NVHBM перейти на техпроцесс TSMC 3 нм
Изображение: OpenAI
Nvidia попросила всех поставщиков своей заказной HBM-памяти NVHBM выпускать базовые кристаллы по техпроцессу TSMC 3 нм ради единых характеристик чипов, сообщила южнокорейская газета Seoul Economic Daily со ссылкой на отраслевые источники. По её данным, которые приводит The Next Web, Samsung на переход согласилась.
Для Samsung и TSMC это будет первый совместный выпуск HBM, памяти с высокой пропускной способностью. Прежде Samsung сама производила и базовый кристалл, и расположенные над ним кристаллы памяти. Компании уже сотрудничали, но тогда согласовывали совместимость HBM Samsung с технологией корпусирования TSMC.
Единый техпроцесс позволит Nvidia не проверять чипы каждого поставщика отдельно. Компания также хочет, чтобы кристаллы памяти выпускали по технологии 1c, шестого поколения DRAM. Запрос касается всех трёх поставщиков NVHBM: Samsung, SK Hynix и Micron.
NVHBM основана на HBM4E и переносит контроллер памяти с GPU на базовый кристалл, освобождая место для вычислительных блоков. По данным газеты, пропускная способность такой памяти до 30% выше, а энергопотребление на 15% ниже, чем у стандартной HBM4E.
Для стандартных HBM4 и HBM4E Samsung сохранит полный цикл собственного производства с базовыми кристаллами на 4 нм. Заказную HBM для других клиентов, включая AMD, она тоже продолжит делать сама. Samsung также проверяет возможность выпускать базовый кристалл NVHBM на собственном техпроцессе 2 нм, хотя, по оценке отрасли, выход годных у него около 60% против более чем 90% у 3 нм TSMC. По словам источника в отрасли, это запасной вариант на случай, если спрос превысит мощности TSMC.
